led外延结构及材料特性分析,LED外延结构及材料特性分析 百度网盘

它们的结构简单来说就是三明治的三明治结构，中间的三明治就是活动区。两者结构相似，只是LED没有谐振腔，LD有谐振腔。LD的工作原理是基于受激辐射，LED是基于自发辐射。LD的发射功率更高，光谱更窄，直接调制带宽更宽，而LED的发射功率更低，光谱更宽，直接调制带宽更窄。LED和激光器都是半导体材料。顾名思义，两者都是离子在空间运动后与内壁碰撞形成的光源。但是LED芯片的碰撞没有LD那么剧烈，所以产生的效果也不一样。一般led产生的是可见光，传播速度和距离都是有限的，但激光不一样。在共振腔中，粒子剧烈碰撞，然后它们会有相同的频率。

LED芯片结构:(自下而上)1。patterns sapphire substrate(PSS)2、ugan3、ngan4、mqw5、palgan6、pgan发光原理是发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的芯片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为pn结。在某些半导体的PN结中材料，注入的少数载流子与多数载流子复合时，多余的能量会以光的形式释放出来，从而直接将电能转化为光能。

两者的区别在于:1。外延指在单晶上生长的具有匹配晶体结构的半导体薄膜材料。以GaN为例，在蓝宝石氧化铝上生长一层结构复杂的GaN薄膜，称为外延。2.芯片是指加工外延，主要用途是在外延上添加电极，用于封装和应用。主芯片材料是单晶硅，但还是GaN 材料。可以说外延是芯片原来的材料，芯片在外延的基础上增加了电极。

外延芯片和芯片一般是做在一起的。外延芯片是芯片之母，一般都是圆形，12寸大小，技术水平不同，大小也不同。外延产品分割后可以做成芯片，芯片一般以mil为单位，方块较多。目前国产的芯片都是外延 chip。芯片统称(Chips)，三安做得很好。衬底生长后为外延片。根据外延件技术，将其切割成单个芯片。外延片的面积除以单个芯片的面积，就可以估算出单个芯片外延片可以切割多少个芯片。

LED 外延 chip生长的基本原理是在LED 外延 chip加热到适当温度的衬底(主要是蓝宝石、sic、Si)上，控制气态物质InGaAlP输送到衬底表面生长特定的单晶薄膜。目前LED 外延芯片的生长技术主要采用有机金属化学气相沉积法。外延芯片做好之后，中游的芯片厂商会拿走长电极然后切割，下游的封装厂会拿走芯片厂做的LED芯片进行封装。

半导体厂商主要使用抛光Si片(PW)和外延Si片作为原IC 材料。80年代初使用外延 wafer，它具有一些标准PW不具备的电学性质特性并消除了晶体生长和后续晶圆加工中引入的许多表面/近表面缺陷。历史上，外延 wafer是Si晶圆厂商生产自用的，在IC中用的不多。需要在单晶硅晶片的表面上沉积一层薄的单晶硅层。一般外延层厚度为2 ~ 20微米，而衬底Si厚度为610μm(直径150mm切片)和725μm(200mm切片)。

单片反应器能生产出质量最好的外延层(厚度和电阻率均匀性好，缺陷少)；此外延件用于生产150毫米“前沿”产品和所有重要的200毫米产品。外延Product外延该产品用于四个方面，CMOS互补金属氧化物半导体支持要求器件尺寸较小的尖端技术。CMOS产品是外延 chip最大的应用领域，被IC厂商用于不可恢复器件的工艺中，包括微处理器和逻辑芯片，以及存储器应用中的闪存和DRAM(动态随机存取存储器)。

的应用就不一样了。外延 layer的作用是在上面制作器件，相当于体材料。一材料是衬底是硅，以上各种外延semiconductor s材料，如Ge、SiGe，主要用于制造半导体器件。LED 外延芯片顾名思义就是外延芯片用作LED。体材料或衬底为蓝宝石，外延 材料为IIIV发光如GaN 材料。当然现在基板也是硅的，便宜。所以，总的来说，两者的区别是外延-3/在基板上。

1。LED灯的基本知识有哪些？1.特性:LED灯珠是一种发光二极管，可以将电能转化为光能。它改变了白炽灯钨丝和节能灯三基色粉的原理，采用电场发光。LED灯可采用DC DC220V电压，无需上变频器和镇流器。启动时间短，无闪光频率。LED灯的主要特点有:①新型绿色光源:LED采用冷光源，眩光少，无辐射，使用中无有害物质。

LED具有更好的环保效益，光谱中无紫外线和红外线，废弃物可回收，无污染，无汞，触摸安全，属于典型的绿色照明光源。②使用寿命长:LED为固体冷光源，环氧树脂封装，耐振动，灯体无松动部件，无易燃、热沉积、光衰等缺点。使用寿命可达6 ~ 10万小时，是传统光源的10倍以上，LED性能稳定，能在30~ 50oC下正常工作。