led外延结构及材料特性分析,LED外延结构及材料特性分析 百度网盘

体材料或衬底为蓝宝石，外延 材料为IIIV发光如GaN 材料。可以说外延是芯片原来的材料，芯片在外延的基础上增加了电极，一材料是衬底是硅，以上各种外延semiconductor s材料，如Ge、SiGe，主要用于制造半导体器件，半导体硅外延芯片和LED 外延芯片有什么区别？应用程序不同，外延 layer的作用是在上面制作器件，相当于体材料。

LED(发光二极管)是一种可以将电能转化为可见光的固体半导体器件，它可以直接将电转化为光。LED的核心是半导体芯片。芯片一端贴在支架上，一端为负极，另一端接电源正极，使整个芯片被环氧树脂封装。半导体晶圆由两部分组成，一部分是P型半导体，其中空穴占优势，另一部分是N型半导体，这里主要是电子。

当电流通过导线作用于芯片时，电子会被推到P区，在那里与空穴复合，然后以光子的形式放出能量，这就是LED发光的原理。光的波长，也就是光的颜色，是由构成PN结的材料决定的。它是通过控制半导体发光二极管的显示模式来显示文字、图形、图像、动画、引用、视频、视频信号等各种信息的显示屏。由于具有易于控制、低压DC驱动、组合后色彩表现丰富、使用寿命长等优点，被广泛应用于各种城市工程的大屏幕显示系统中。

它们的结构简单来说就是三明治的三明治结构，中间的三明治就是活动区。两者结构相似，只是LED没有谐振腔，LD有谐振腔。LD的工作原理是基于受激辐射，LED是基于自发辐射。LD的发射功率更高，光谱更窄，直接调制带宽更宽，而LED的发射功率更低，光谱更宽，直接调制带宽更窄。激光器的工作不同于普通光源，它需要激光工质(在半导体激光二极管LD中，激光工质为半导体材料)、泵浦(即外接能源)和谐振腔。