晶体管分析

其中D和S一般可以互换使用，1.3载波和输入，双极性晶体管:载波载波多载波少。输入数量是当前数量。场效应管:载流子是一种(空穴或自由电子)2。输入量是电压。1.4输入电阻，双极晶体管:低(几十欧姆到几千欧姆)FET:高(几兆欧以上)，iG0，1.5其他方面，双极晶体管电流控制电流源CCCS()，噪声系数大，热稳定性差，不易受影响。

晶体管的三种状态也称为三个工作区，即截止区、放大区和饱和区。(1)截止区:晶体管工作在截止状态。当发射极结电压Ube小于0.60.7V的导通电压时，发射极结不导通，集电极结处于反向偏置，没有放大效应。(2)放大面积:三极管的发射极用直流电压导通，集电极用反向电压导通后，Ib控制Ic，Ic和Ib的关系近似为线性，基极加一个小的信号电流，集电极输出一个大的信号电流。

我不知道那本书里有写。这是误导。三极管有三种工作状态。1.饱和区:集电极结和发射极结均为正偏(此时三极管相当于导通，饱和压降一般可以认为在0.3v左右)2。截止区:集电极结和发射极结反向偏置(此时三极管相当于关断)3。放大面积:发射极结正偏，集电极结反偏。我有一本童教授主编的模拟电路书(电子版)，上面写的很清楚。

首先你要知道晶体管工作电压或电流是一个动态范围。数字电路一般在饱和和关断状态之间切换，产生0或1的电压和电流输出；模拟电路一般采用线性放大工作状态，尽量避免进入上述两种工作状态。那么它们到底在哪里波动呢？当然是静态工作点，在这个点附近应该是对称的，否则会进入非线性区，出现饱和失真和截止失真。其次，晶体管电路的动态参数由静态工作点的设置决定，如发射极结电阻rbe，它影响H参数的等效模型和放大电路的输入阻抗、输出阻抗、放大倍数中的一个或多个，直接影响输出信号。

a，饱和，发射极结和集电极结正向偏置，饱和，B，截止，发射极结和集电极结反向偏置，截止，C，损坏，发射极结电压> > 0.7V，损坏D，放大。发射极结正向偏置，集电极结反向偏置，放大。这个要做到分析才能下结论，对你以后的学习很有帮助。在正常工作条件下，三极管的发射极结正向偏置，集电极结反向偏置。图一。基极电压比发射极电压高0.7V，发射极处于正偏置，但是集电极电压低于基极电压，所以图1中的晶体管是饱和的。

左图是基本电路图。中间有三张图，Ibt，Ict，Ucet；其实所有的问题都是Ib的变化引起的。右图中，平行曲线和倾斜曲线是Ib中不同时间的UceIc关系曲线。Ib是方波，AB段电流从0增加到最大，Ic也瞬间变成最大，对应AB1；在右图中；B1B2是电源给电容c充电引起的；C点对应三极管饱和时的集电极电压；

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