晶体管分析

分析 晶体管静态工作点？分析电路中各硅的工作状态晶体管放大、解释晶体管放大电路与FET放大电路的异同at 分析...1、双极型。第一章是双极型晶体管和场效应晶体管的区别，如何判断晶体管的工作区域？晶体管放大电路的微变等效电路分析法的基本方法和详细步骤是什么。

(1)当VBB = 0时，T截止UO = 12v。(2)当VBB = 1V时，60 bbeqbbbqruviμav9ma 3 ccqccobqcqrivuiiβ的T处于放大状态。Vbb0V时，三极管关断，Uo12V；在Vbb1V，Ib(10.7)/5k60uA，Ic100*Ib6mA，uo 12 vicrc 121kω* 6ma 6v；；在Vbb2V，Ib(20.7)/5k260uA，Ic12/1k12mA时晶体管饱和，所需Ib饱和电流为12mA和100120uA。此时Ib大于饱和电流，所以晶体管饱和，UO为0.1V..

曲线以Ic(mA)为纵坐标，Uce(V)为横坐标。图上的点代表晶体管工作时Ib、Uce、Ic之间的关系，决定了晶体管的工作状态。从曲线可以看出,晶体管的工作状态可以分为三个区域。饱和区:Uce很小，Ic很大。集电极和发射极饱和并导电，就像它们被短路了一样。此时的Uce称为饱和压降。

transistor的输入环路相当于一个动态电阻re。根据输入特性曲线找到Q点，然后根据Q点做相应的ibQ和UBEQ。以UBEQ为基点，加上一个正弦信号ui。这时，你会看到它们都是一个完美的正弦波形。怎样才能让IB和ui波形变化一致？这个信号应该足够小。怎么才能找到这个足够小的信号呢？以Q为例。如果我们以Q为切点做一条切线，

1，双极型晶体管和场效应晶体管比较，第一章:双极型晶体管和场效应晶体管的区别，1.1结构，1.2电极和1.4输入电阻的1.3载流子，1.5其他方面，1.1结构，双极型。P沟道绝缘栅增强:N沟道、P沟道绝缘栅耗尽层:N沟道、P沟道、使用1.2电极、双极晶体管:分为基极(b)、集电极(c)、发射极(e)。