多晶硅硅片的切割成本分析报告

它不能用于晶片生产，所以通常在后续工艺中进行抛光，因此称为抛光晶片。根据不同的晶圆制造要求，通常需要在粗晶圆中掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值，因此给出了低阻、高阻、重掺杂等术语。镀膜晶圆可以理解为外延片epi，是为有特定要求的半导体器件制作的晶圆，通常用于高端ic和专用IC。

一种用于制造层的方法包括:提供衬底；在所述衬底上形成非晶硅层，其中所述非晶硅层至少具有第一非晶硅区域和第二非晶硅区域；第一发明涉及通过完全熔化第一非晶硅区域和预热第二非晶硅区域来制造层的方法。首先，提供基底，并在基底上形成非晶硅区域，非晶硅层具有第一非晶硅区域和第二非晶硅区域。

然后，用激光照射光掩模，使得第一非晶硅区域完全熔化，并且预热第二非晶硅区域，并且完全熔化的第一非晶硅区域结晶成第一层。然后，移动光掩模或衬底，使得透光区域对应于预热的第二非晶硅区域。然后，用激光照射光掩模，使得预热的第二非晶硅区域完全熔化，并且完全熔化的第二非晶硅区域结晶成第二层。在用于从硅熔体生长单晶硅锭的切克劳斯基方法中，改进包括在温度为1000至约1100℃的硅锭区域中，在温差为20 ℃/ cm或更小的受控温度下生长硅锭..

单晶硅和多晶硅对太阳能的利用也有很大的作用。虽然目前为了让太阳能发电有更大的市场，被消费者接受，需要提高太阳能电池的光电转换效率，降低产量。从目前国际太阳能电池的发展历程可以看出，其发展趋势是单晶硅、多晶硅、带状硅和薄膜材料(包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜和染料薄膜)。

单晶硅和多晶硅的区别在于，当熔融的单质硅凝固时，硅原子排列成一个菱形晶格中的许多晶核，如果这些晶核生长成晶面取向相同的晶粒，就形成了单晶硅。如果这些晶核长成不同晶向的晶粒，就形成了多晶硅。多晶硅和单晶硅的区别主要在物理性质上。比如多晶硅在机械性能和电性能方面都不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可以算是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件都要求硅的纯度在六个九以上。

目前，人们已经能够生产出纯度为十二九的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科技中不可缺少的基础材料，在应时提取高纯硅，以单晶硅为例，涉及以下工艺:石英砂-冶金级硅-提纯精炼-沉积多晶硅锭-单晶硅--0切割。提炼冶金级硅并不难，其制备主要是在电弧炉中用碳还原石英砂。这样还原出来的硅纯度约为98.99%，但半导体工业使用的硅必须是高纯度的(电子级/123，456，789-1/纯度需要11个9，而太阳能电池级只需要6个9)。