三安光电 战略分析报告 终稿

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我对半导体也不是很熟悉。我是做股票的时候才接触到他们的。给Bala一些数据我们就知道了。谢谢你。第一代:以硅材料为代表的第一代半导体材料仍然是最主要的半导体器件材料。然而，硅材料的窄带隙和低击穿电场限制了其在子领域和高频大功率器件中的应用。第二代:20世纪90年代以来，随着无线通信的快速发展和以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起，以砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)为代表的第二代半导体材料开始出现。

预见2023:2023年中国第三代半导体产业全景(附市场规模、竞争格局、发展前景等。)行业主要上市公司:目前国内第三代半导体行业上市公司主要有华润微()；三安 光电();石()；文泰科技()；辛杰能()；卢晓科技()；斯塔尔的半导体()等等。本文的核心数据:第三代半导体分类；SiCGaN电子功率和GaN微波射频输出值；SiC氮化镓电子电源和氮化镓微波射频市场概况。定义以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AIN)为代表的宽带隙半导体材料，称为第三代半导体材料。目前比较成熟的是碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)。

Get 报告请访问【未来智库】。1.1第三代半导体SIC材料的性能优势SIC材料具有明显的性能优势。SiC和GaN是第三代半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比，它们具有更宽的带隙、更高的击穿电场、更高的热导率等性能优势，因此也被称为宽带隙半导体材料，特别适用于5G射频器件和高压功率器件。1.2 SIC器件的性能优势:与Si基IGBT相比，SIC的功率器件，如SICMOS，可以使其导通电阻更低，体现在产品上就是尺寸减小，从而减小体积，而且开关速度快，功耗比传统功率器件大大降低。